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如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點(diǎn),最大限度減少了機(jī)械系統(tǒng)的采用,正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因,以及提高內(nèi)燃型、混合動(dòng)力型和全電動(dòng)型汽車行車安全的需求,市場(chǎng)逐步減少了對(duì)汽油的依賴,這正是“數(shù)字化”轉(zhuǎn)變的驅(qū)動(dòng)力。
現(xiàn)在發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝,是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比,SiRA20DP的典型柵極電荷更低,只有61nC,F(xiàn)OM為0.035Ω*nC,低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。
近日,亞德諾半導(dǎo)體(Analog Devices,Inc.,簡(jiǎn)稱ADI) 旗下凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè)N溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器LTC7000 -1,該器件采用高達(dá)150V的電源電壓工作;其內(nèi)部充電泵全面強(qiáng)化一個(gè)外部N溝道MOSFET開關(guān),因而使之能無限期地保持導(dǎo)通。
安森美半導(dǎo)體通過近期的收購(gòu),打造更全面的功率分立器件、IC和模塊產(chǎn)品組合,支持更寬泛的電壓,適用于汽車、工業(yè)、電機(jī)控制和 IoT 等行業(yè)。
飛凌科推出兩個(gè)高達(dá)600V擊穿電壓的系列——600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)。其中,P7具備更高性價(jià)比,能夠極大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),不僅如此與競(jìng)品相較,樹立了效率標(biāo)桿。而G7適用于大電流設(shè)計(jì),具備較低的導(dǎo)通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG等。
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET,超級(jí)結(jié)器件具有業(yè)內(nèi)最低的RDS(ON)*Qg FOM,可用于通信、工業(yè)和企業(yè)應(yīng)用。
如果對(duì)安全工作區(qū)(SOA)沒有足夠的重視,可能帶來的后果是損害甚至破壞熱插拔控制器。事實(shí)上MOSFET是熱插拔電路可能出現(xiàn)故障的薄弱環(huán)節(jié),因而可能會(huì)損害甚至破壞熱插拔控制器。在選擇 MOSFET過程中很重要的一環(huán)是,重點(diǎn)考慮電阻 (RDS(on)) 上漏-源極以及最大漏極電流 (ID(max))。又或者,基于負(fù)載電容較小的老款設(shè)計(jì)思路來考慮新設(shè)計(jì), MOSFET就 能夠很好的工作。大部分功率 MOSFET 針對(duì)低 RDS(on) 和快速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化,很多電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)師會(huì)習(xí)慣于根據(jù)這些特性來選擇 MO
應(yīng)確保選擇 MOSFET 能夠可靠處理熱插拔應(yīng)用中遇到的壓力,這一點(diǎn)非常重要。
這些新型低電容瞬態(tài)抑制二極管面向移動(dòng)設(shè)備高速接口,可為包括USB 3.0/3.1和HDMI在內(nèi)的高速接口提供防靜電放電(ESD)和防噪音保護(hù)
全新MOSFET利用優(yōu)化其晶粒結(jié)構(gòu)抑制切換時(shí)產(chǎn)出之涌浪電壓及振鈴,有效降低電磁干擾(EMI),此產(chǎn)品之創(chuàng)新研發(fā)已超越目前東芝現(xiàn)有產(chǎn)品。
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