圖1:可插入電路板的熱插拔控制器
CONNECTORS:連接器
BACKPLANE:背板
HOT SWAP CONTROLLER:熱插拔控制器
當熱插拔電路出現(xiàn)故障時,薄弱環(huán)節(jié)一般在 MOSFET 開關上,因而可能會損害或破壞熱插拔控制器。MOSFET 出現(xiàn)故障常見的原因是在選件時沒有重視其安全工作區(qū) (SOA)。相反,選擇 MOSFET 時主要考慮了電阻 (RDS(on)) 上漏-源極以及最大漏極電流 (ID(max))?;蛘?,新設計基于負載電容較小的老款設計,同樣的 MOSFET 能夠很好的工作。大部分功率 MOSFET 針對低 RDS(on) 和快速開關進行了優(yōu)化,很多電源系統(tǒng)設計師習慣面向這些特性來選擇 MOSFET,而 MOSFET 在顯著時間于高損耗開關狀態(tài)下過渡,卻在電路忽略了 SOA。在 MOSFET 制造商參數(shù)選擇表中沒有 SOA,它并不能幫助。即使是注意到 SOA,由于 SOA 數(shù)據(jù)通常是基于計算而不是測試數(shù)據(jù),因此,應用的降額或余量并不明顯。
SOA 是對 MOSFET 在脈沖和 DC 負載時功率處理能力的衡量。在 MOSFET 產(chǎn)品手冊的圖表中進行了闡述,如圖 2 的實例所示。其 x 軸是 MOSFET 漏-源極電壓 (VDS),而 y 軸是漏極電流 (ID);兩個軸都使用了對數(shù)坐標。在這張圖中,直線 (每一條代表不同的 tP) 表示恒定 MOSFET 功率。每條線代表了 MOSFET 在某一脈沖寬度 tP 時允許的功耗,tP 的范圍在微秒至無窮大 (DC)。例如,圖中顯示了對于 10ms 脈沖,MOSFET 漏-源極上有 5V 電壓,流過的電流為 50A,計算得到功耗是 250W。同樣脈沖寬度下較低的功耗保證了安全 MOSFET 工作,圖中標注為 10ms 線下面的區(qū)域,這就是 “安全工作區(qū)”。圖的兩端是由接通電阻、漏-源極擊穿電壓、和最大脈沖漏極電流決定。
圖 2:PSMN3R4-30BLE N 溝道 MOSFET 的安全工作區(qū)