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面向快速充電器的MOSFET支持4.5V驅(qū)動

這些新型低電容瞬態(tài)抑制二極管面向移動設(shè)備高速接口,可為包括USB 3.0/3.1和HDMI在內(nèi)的高速接口提供防靜電放電(ESD)和防噪音保護
  東芝(Toshiba) 旗下的存儲與電子元器件解決方案公司推出了新系列低電容瞬態(tài)抑制二極管,新元件共有10款,分別為DF2B5M4SL、DF2B5M4CT、DF2S5M4SL、DF2S5M4CT、DF10G5M4N、DF2B6M4SL、DF2B6M4CT、DF2S6M4SL、DF2S6M4CT、DF10G6M4N。
 
  這些新型低電容瞬態(tài)抑制二極管面向移動設(shè)備高速接口,提升了保護性能,適用于智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的高速接口,可為包括USB 3.0/3.1和HDMI在內(nèi)的高速接口提供防靜電放電(ESD)和防噪音保護。
 
  該新系列包括5款3.3V產(chǎn)品和5款5.0V產(chǎn)品,用戶能夠選擇與自己系統(tǒng)所需接口電壓匹配的產(chǎn)品。這些瞬態(tài)抑制二極管采用新開發(fā)的EAP-IV工藝制造,而該工藝采用了東芝專有的Snapback技術(shù)。與東芝目前產(chǎn)品相比,動態(tài)電阻提高了約50%,動態(tài)電阻可以吸收靜電放電和噪音,因而實現(xiàn)了低箝位電壓。此外,與東芝目前產(chǎn)品相比,靜電放電耐受性提高了約75%,因而有助于提高系統(tǒng)可靠性。
 
  東芝提供三種封裝選擇,具體視封裝空間而定。封裝選項中的“SOD-962(SL2)”(0.62×0.32mm)和“SOD-882(CST2)”(1.0×0.6mm)為小尺寸封裝,適合于多端口,包括應(yīng)用日益增多的USB Type-C。流通型“DFN10”封裝(2.5×1.0mm)則可降低線路產(chǎn)生的電感。
 
 
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