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鴻海、聯(lián)電沖刺第三代半導體

聯(lián)穎在 6 寸第三代半導體市場積累豐富經(jīng)驗后,接下來就是全面朝 8 寸布局。

  據(jù)中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟日報報道,鴻海、聯(lián)電兩大集團沖刺第三代半導體。鴻海董事長劉揚偉表示,鴻海近年積極發(fā)展電動車、數(shù)字健康和機器人三大產(chǎn)業(yè),這些產(chǎn)業(yè)都需要功率和光電半導體來推動技術創(chuàng)新。

  劉揚偉強調,鴻海正在建立和擴大在第三代半導體的競爭優(yōu)勢,包括投資碳化硅基板制造商盛新材料,強化上游供應鏈確?;骞?,并迅速拓寬產(chǎn)品組合。

  鴻海研究院半導體研究所稱,隨著 5G、電動車、再生綠能、航空等科技發(fā)展,化合物半導體的重要性也隨之提升,鴻海將整合串起供應鏈。

  聯(lián)電則通過轉投資聯(lián)穎光電切入第三代半導體,主要提供 6 寸化合物半導體晶圓代工服務,技術涵蓋砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到濾波器,并跨足光電元件制造。

  聯(lián)電透露,目前聯(lián)穎接單熱絡,產(chǎn)能滿載,公司規(guī)劃將其中少部分的利基型硅基半導體產(chǎn)能,逐步轉為化合物半導體,縮減硅基半導體產(chǎn)能,目標二至三年內,全面轉向化合物半導體制造。據(jù)介紹,聯(lián)穎在 6 寸第三代半導體市場積累豐富經(jīng)驗后,接下來就是全面朝 8 寸布局。

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