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消息人士稱，因128層3DNAND閃存工藝良率已改善至令人滿意的水平，長江存儲也將月產(chǎn)量擴大至10萬片晶圓。
據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。
希捷科技與東芝存儲公司簽署長期NAND供應(yīng)協(xié)議，促進產(chǎn)品組合的擴展和連續(xù)性。
慧榮科技公司近日榮獲2017年中國財經(jīng)峰會·冬季論壇組委會頒發(fā)的“2017年度最具影響力企業(yè)大獎”，以表彰其多年來在閃存控制芯片領(lǐng)域所做出的杰出貢獻。頒獎典禮于近日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業(yè)資深副總段喜亭先生出席典禮。
美光科技安防領(lǐng)域邊緣存儲解決方案發(fā)布會暨戰(zhàn)略合作
西部數(shù)據(jù)日前宣布推出64層3D NAND技術(shù)打造的移動固態(tài)硬盤。該技術(shù)使西部數(shù)據(jù)能夠提供更低功耗、更高性能、耐用度更高且容量更大的新型移動固態(tài)硬盤，這是西部數(shù)據(jù)公司在閃存行業(yè)一標(biāo)志性產(chǎn)品。
近日，有消息稱，三星電子公司預(yù)計未來三年將投資70億美元，以提升其位于中國西安市的NAND內(nèi)存芯片生產(chǎn)。早在7月初，當(dāng)三星電子公司宣布在韓國投資186億美元時，該公司曾表示它將在其西安的NAND工廠增加一條生產(chǎn)線。但是，當(dāng)時并沒有確定投資額。不過，三星稱，“這筆投資旨在滿足中長期日益增長的NAND閃存芯片需求。”三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線是在2014年興建，月產(chǎn)12萬片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，產(chǎn)量將達20萬片。
Gartner日前公布了新的半導(dǎo)體市場預(yù)測，指出2017年全球半導(dǎo)體資本支出預(yù)計將增長10.2%，達到777億美元。由于持續(xù)內(nèi)存和先進邏輯組件的需求推動了晶圓級設(shè)備的投資，因而Gartner上調(diào)了今年度的資本支出預(yù)測。
今年下半年DRAM內(nèi)存和NAND閃存的強勁增長勢頭仍將持續(xù)，IC Insights預(yù)計DRAM和NAND閃存的銷售將由于平均銷售價(ASP)快上上漲而在今年創(chuàng)下新記錄。但二種內(nèi)存的單位出貨量和價格共不成正比，DRAM單位出貨量預(yù)估今年會下滑;而NAND出貨量則預(yù)計僅增長2%。
DRAM和NAND閃存的價格上漲將帶動今年半導(dǎo)體行業(yè)大幅增長。IC Insights預(yù)測，今年終端電子產(chǎn)品出貨產(chǎn)值僅將年增2%至1兆4,930億美元，但半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值將可望年成長15%至4,191億美元。
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