本周,臺積電方面正式宣布,已經生產了第10億顆功能完好、沒有缺陷的7nm芯片(蘋果A12、華為麒麟980等都使用了這個工藝),達成新里程碑,而EUV(極紫外光刻)技術引入7nm的商業(yè)生產,并為5nm打下堅實基礎,后者即將正式跟大家見面。
據最新消息顯示,臺積電為華為麒麟生產的5nm麒麟芯片,依然集成了同樣工藝的5G基帶,所以搭載的手機在續(xù)航上表現(xiàn)會更上一層樓,而老對手A14并沒有集成5G基帶,因為蘋果在這方面上沒有任何建樹,而是通過高通的驍龍X55方案。
臺積電正在進行最后的趕工生產
按照之前的規(guī)定,9月15日之后臺積電將不能為華為生產芯片,而隨著時間的不斷臨近,臺積電也是進行了最后的趕工,其正在集中一切力量來生產基于5nm的麒麟芯,以盡可能保證Mate 40系列的使用。
上游芯片產業(yè)鏈消息人士直言,華為到年底之前所需要的麒麟處理器芯片數量,不論5nm,7nm 手機芯片或是16nm,28nm例如海思自研的TWS 耳機藍牙芯片,都會在9月中前全部交付,目前的產能推進一切順利,所以不會耽誤既定機型的發(fā)布和上市。
除了5nm外,臺積電還在華為生產更多7nm芯片,以保證更多的手機使用,因為目前華為旗下手機銷售主力主要還是集中在搭載7nm工藝處理器的機型上,不過即便是最后的趕工,也并沒有其他廠商愿意臨時將產能貢獻給華為使用,因為大家基本都到了集中發(fā)新的階段,同時臺積電的7nm、5nm工藝產能十分有限。
麒麟芯或將成絕唱
由于美國的瘋狂打壓,余承東在之前的公開演講中表示,今年秋天上市的Mate 40,將搭載的麒麟9000可能是華為高端芯片的絕版。余承東在演講中披露,華為Mate 40搭載了我們新一代的麒麟9000芯片,將會擁有更強大的5G能力,更強大的AI處理能力,更強大的CPU和GPU。
“但很遺憾的是,在美國的第二輪制裁,我們芯片生產,只接受了9月15號之前的訂單,到9月15號生產就截止了。所以今年可能是我們華為麒麟高端芯片的絕版,最后一代。”余承東無奈的說道。
對于外界的打擊,華為方面現(xiàn)在公開表示,將跟中國企業(yè)一起在芯片、操作系統(tǒng)等核心上突圍。華為承認中國終端產業(yè)的核心技術與美國差距很大,但他們希望中國企業(yè)能夠從根技術做起,打造新生態(tài),大家一起團結,在核心技術上進行突圍。
按照之前的制裁細節(jié),只要半導體生產工藝上,哪怕使用了任何一點美國技術,都不能給華為來生產。對此,華為也表現(xiàn)的很無奈,他們也很遺憾,第一是在芯片領域探索,過去華為開拓了十幾年,從嚴重落后到比較落后,到有點落后,到終于趕上來,到領先,到現(xiàn)在又被封殺。
另外一點是,投資了非常巨大的研發(fā)投入,也經歷了非常艱難的過程,但很遺憾的是華為在半導體制造方面,華為在重資產投入型的領域,這種資金密集型的產業(yè),華為沒有參與,他們只做到了芯片的設計,但沒搞芯片的制造,這是華為非常大的一個損失。
聯(lián)發(fā)科準備的3千萬套5G芯片或無法出貨
產業(yè)鏈在最新消息中還提到,由于美國升級了禁令要求,這導致聯(lián)發(fā)科為華為手機準備的5G芯片沒辦法出貨,只能靠小米、OPPO和vivo來消化。
按照禁令要求,使用美國技術或軟件作為基礎的外國產品,且該外國產品用于生產或開發(fā)任何零件、組件、設備都是被禁止的。處于實體清單中的華為相關子公司,禁止扮演采購者、中間收貨人、最終收貨人的角色。
產業(yè)鏈人士表示,如此嚴格的規(guī)定,直接導致聯(lián)發(fā)科給華為供貨5G芯片的計劃被打亂,即聯(lián)發(fā)科本來第四季度幫華為備貨了3000萬套的5G手機芯片,由于禁令,現(xiàn)在只能向OV小米立項求助。
華為日本公司方面則公開表示,目前禁令限制的主要是半導體芯片,其他零部件不受影響。
跟中國廠商一起努力,全方位扎根半導體
當然了,華為也不是只是喊喊口號,因為只有自己強大才能真的無懼制裁。在半導體方面,華為最新的態(tài)度是,將全方位扎根,突破物理學材料學的基礎研究和精密制造。在終端器件方面,比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面,華為正大力加大材料與核心技術的投入,實現(xiàn)新材料+新工藝緊密聯(lián)動,突破制約創(chuàng)新的瓶頸。
由于半導體產業(yè)鏈非常的長,不是一兩家家企業(yè)能夠做全的,不過華為也表示,在終端的多個器件上,華為都在投入,其也帶動了一批中國企業(yè)公司的成長,包括射頻等等向高端制造業(yè)進行跨越。
具體來說,華為建議產業(yè)關注EDA以及IP領域,關鍵算法和設計能力。還有包括12寸晶圓、光掩膜、EUV光源、沉浸式系統(tǒng)、透鏡等在內的生產設備和材料領域。而在設計與制造環(huán)節(jié),關注IC設計能力以及IC制造和IC封測能力。其中IDM涵蓋了射頻、功率、模擬、存儲、傳感器等器件設計與制造工藝整合。