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剖析同步降壓動力總成設計

同步降壓動力總成設計是當今最普遍使用的轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)之一,但為中低壓同步降壓轉(zhuǎn)換器選擇合適 的動力總成元件可能是一項艱巨的任務。設計人員必須從一系列看似無限的器件中選擇功率MOSFET,簡單的質(zhì)量因數(shù)(FOM)比較通常不會有最佳的轉(zhuǎn)換能 效或成本。
  同步降壓動力總成設計是當今最普遍使用的轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)之一,但為中低壓同步降壓轉(zhuǎn)換器選擇合適的動力總成元件可能是一項艱巨的任務。設計人員必須從一系列看似無限的器件中選擇功率MOSFET,簡單的質(zhì)量因數(shù)(FOM)比較通常不會有最佳的轉(zhuǎn)換能 效或成本。要縱觀全局,如果通過常規(guī)方法嘗試,必須使用實際的電路中損耗和能效數(shù)據(jù)進行比較,這是一個繁瑣和耗時的過程。如果通過手工計算來指定無源元 件,如輸出濾波電感、電容器和緩沖器,也會是耗時費力的??紤]到工程師們所面臨的這些挑戰(zhàn),安森美半導體開發(fā)了一種新型同步降壓動力總成設計工具。

           完整的動力總成設計和分析

  新的同步降壓動力總成設計工具提供完整的動力總成系統(tǒng)的設計和分析,包括功率MOSFET、輸出電感、輸出電容和可選的緩沖,所以您可以在更短的時 間完成一個方案。它的工作原理就像電源設計工具Power Supply WebDesigner一樣。在幾分鐘內(nèi)完成一個設計,只需輸入您的系統(tǒng)要求,點擊“自動完成”,或在所有的設計步驟中使用指導設計來微調(diào),從損耗和能效 分析到原理圖、物料單(BOM)和設計報告。具備有用的“信息注釋”,無需參考應用注釋。建基于我們用于分立元件分析的FETBench ,支持單、雙級 對稱和雙級不對稱(功率級)配置的達250V BVDSS的MOSFET。至于最終的靈活性方面,您仍然可以結(jié)合任何您想用的控制器或驅(qū)動器來使用。

  快速“自動設計”或分步微調(diào)

  同步降壓動力總成工具通過指導的器件選擇,自動搜索MOSFET的綜合數(shù)據(jù)庫,并推薦滿足您的系統(tǒng)要求的高邊和低邊開關(guān)。用戶可以從合適器件的預排 序列表中任選另一個FET。可以簡單和迅速地在所選表格的右邊對用于不同的高邊和低邊FET的參數(shù)數(shù)據(jù)、損耗和結(jié)溫進行比較。完成動力總成,推薦和選擇一 個真正的電感器編碼,并根據(jù)系統(tǒng)要求指定輸出電容器。最后,還可以指定用于開關(guān)節(jié)點的R-C緩沖器。

  易于對比MOSFET數(shù)據(jù)和性能

  新的同步降壓型動力總成設計工具擁有提高的精度,通過MOSFET的損耗計算,包括迭代的Rds(on)對比溫度的影響和可選的定制熱阻抗來調(diào)整您 的印刷電路板設計。可以輸入您的首選控制器/驅(qū)動器數(shù)據(jù),如獨立的高低邊門極驅(qū)動電壓、源/汲電阻、延遲時間和門阻尼電阻以實現(xiàn)更高的精度。

  此工具提供更詳細的損耗和能效分析,如產(chǎn)生MOSFET損耗的明細(傳導、開關(guān)、反向恢復等)。動力總成總損耗可按各元件分析,并為各種不同的輸入和負載條件提供損耗和能效圖。

  MOSFET損耗明細

  詳細的損耗和能效分析

  該工具的開發(fā)結(jié)合了安森美半導體工程師幾十年的電源訣竅。通過內(nèi)置所有這些功能和靈活性,您將實現(xiàn)用更少的時間和精力完成您的動力總成方案。

                  作者: Brian Curbo,安森美半導體

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