為了防止這種情況的發(fā)生，必須在系統(tǒng)處于輕載條件時(shí)采取措施增加延遲。自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制機(jī)制可以彌補(bǔ)寄生電感的存在，從而減輕體二極管導(dǎo)通的不良影響。通過(guò)這種方法，可以調(diào)整同步整流器關(guān)斷點(diǎn)，以保持一個(gè)恒定的死區(qū)時(shí)間，而不受當(dāng)時(shí)輸出負(fù)載的影響。從而持續(xù)保持高能效和對(duì)相應(yīng)的熱管理規(guī)定更少的要求(由于散熱的減少)。
得益于專有的自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制算法，安森美半導(dǎo)體的FAN6248雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器IC，能夠充分解決上述挑戰(zhàn)。同時(shí)，它可以幫助工程師最大化電源能效，并使系統(tǒng)盡可能緊湊、簡(jiǎn)單和具性價(jià)比。
該器件優(yōu)化用于現(xiàn)代LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導(dǎo)。它通過(guò)使用一個(gè)獨(dú)特的控制方法，消除了電流反向的隱患，還可以避免同步整流誤觸發(fā)。通過(guò)兩個(gè)感測(cè)輸入，可以準(zhǔn)確地確定MOSFET兩端的漏源電壓，從而考慮到關(guān)于次級(jí)繞組的任何不對(duì)稱或不良耦合。如果經(jīng)證實(shí)死區(qū)時(shí)間太長(zhǎng)，那么偏置電壓相應(yīng)降低。從而提高M(jìn)OSFET的電壓閾值，繼而使同步整流器的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)(因此縮短相關(guān)的死區(qū)時(shí)間)。反之，如果死區(qū)時(shí)間太短，則降低MOSFET的電壓閾值，從而抑制同步整流器的導(dǎo)通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統(tǒng)的電源能效，和實(shí)現(xiàn)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的穩(wěn)定運(yùn)行(無(wú)電流反向的風(fēng)險(xiǎn))。
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