目前全球內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)高燒，其中Flash缺貨情況比DRAM更為嚴(yán)重，三星電子于5月29日表示，正在考慮擴(kuò)大其中國(guó)制造基地的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能，并計(jì)劃投89億美元擴(kuò)產(chǎn)西安3D NAND廠(chǎng)，專(zhuān)注生產(chǎn)較低端芯片，多數(shù)供應(yīng)中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)，而韓廠(chǎng)將專(zhuān)注于生產(chǎn)高端芯片。三星預(yù)估投產(chǎn)時(shí)間落為2019年，與大陸內(nèi)存廠(chǎng)產(chǎn)出的時(shí)間相近，是否會(huì)引發(fā)市場(chǎng)供需陷入供過(guò)于求?

　　三星發(fā)言人稱(chēng)，正在考慮擴(kuò)大西安工廠(chǎng)的產(chǎn)能，但具體細(xì)節(jié)還未確定，包括可能的投資規(guī)模以及新增產(chǎn)能將用于生產(chǎn)哪些產(chǎn)品。內(nèi)存業(yè)界指出，各家原廠(chǎng)3D NAND Flash逐步開(kāi)出，但預(yù)期今年內(nèi)供需失衡的情況仍難以完全改善，所以整體市況仍偏向樂(lè)觀。

　　消息人士稱(chēng)，三星與當(dāng)?shù)卣M(jìn)行協(xié)商最后階段。 很可能在9月動(dòng)工。 三星西安廠(chǎng)現(xiàn)有第一產(chǎn)線(xiàn)是在2014年興建，月產(chǎn)12萬(wàn)片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)量將達(dá)20萬(wàn)片。

　　三星此前已在西安工廠(chǎng)投資70億美元生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器芯片，現(xiàn)在計(jì)劃讓位于韓國(guó)京畿道平澤市的全新NAND芯片廠(chǎng)自6月啟動(dòng)營(yíng)運(yùn)，月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片。

　　消息人士還稱(chēng)，三星大陸廠(chǎng)將生產(chǎn)較低端芯片，多數(shù)供應(yīng)中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)，而韓廠(chǎng)將專(zhuān)注于生產(chǎn)高端芯片。

　　由于用戶(hù)對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品處理能力的需求不斷增長(zhǎng)，以及隨著技術(shù)越來(lái)越復(fù)雜，投資的生產(chǎn)收益下降，預(yù)計(jì)三星等存儲(chǔ)器芯片公司將在2017年錄得創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收和利潤(rùn)。市場(chǎng)研究公司IHS預(yù)計(jì)，今年的存儲(chǔ)器行業(yè)收入將躍升32%至創(chuàng)紀(jì)錄的1，040億美元。

　　業(yè)界高管和分析師表示，3D NAND供應(yīng)商2017年全年可能難以滿(mǎn)足客戶(hù)的訂單。三星提高資本支出增產(chǎn)3D NAND Flash，預(yù)估投產(chǎn)時(shí)間落為2019年，與大陸內(nèi)存廠(chǎng)產(chǎn)出的時(shí)間相近，是否會(huì)引發(fā)市場(chǎng)供需陷入供過(guò)于求，目前還難斷定。

　　群聯(lián)電子董事長(zhǎng)潘健成表示，3D NAND工藝難度高，且需求相當(dāng)強(qiáng)勁，主要制造大廠(chǎng)均表示未來(lái)三年的產(chǎn)能仍無(wú)法供應(yīng)，因此預(yù)料三星增產(chǎn)3D NAND芯片，應(yīng)是看好在3D NAND芯片取得較佳機(jī)會(huì)。

　　潘健成認(rèn)為，至少二年內(nèi)，NAND芯片會(huì)一直缺貨，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。

　　此外，三星資本支出集中增產(chǎn)3D NAND Flash，目前雖未有增產(chǎn)DRAM計(jì)劃，但對(duì)DRAM廠(chǎng)而言，仍將處于供需平衡階段。 業(yè)界評(píng)估，DRAM價(jià)格漲勢(shì)已逐漸到達(dá)臨界點(diǎn)，渠道商也已建立一定的庫(kù)存，因此或許后續(xù)第3季的價(jià)格就會(huì)開(kāi)始盤(pán)整。

　　南亞科則估計(jì)，今年DRAM也是處于缺貨的一年，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%，預(yù)料進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，DRAM價(jià)格會(huì)再看漲。