據(jù)恩智浦微控制器部總經(jīng)理Geoff Lees介紹，據(jù)評定尚有1年時間，在對線路圖未了解(預計今年5月三星才發(fā)布線路圖)，也未進行考察的情況下，恩智浦即選擇了三星授權自ST的FD-SOI工藝。今年，恩智浦就使用了多達5種采用三星28nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝生產(chǎn)的SoC芯片。
在某次展會上，恩智浦展示了第一個樣品，被認為是FD-SOI漫長發(fā)展過程的里程碑。長遠看，F(xiàn)D-SOI能夠提供更好的ADC和更低的功率無線電支持，如單天線802.11n Wi-Fi能夠出現(xiàn)在Zigbee和其他802.15.4協(xié)議的功率預算中，并有能力將藍牙低能耗提升到創(chuàng)記錄的功率級別，以新的成本開發(fā)新的應用。
對FD-SOI，業(yè)內(nèi)許多自身人士都表示了積極的態(tài)度，如三星代工市場營銷副總裁Ryan Lee認為，F(xiàn)D-SOI雖然剛起步，但未來將會成為主流業(yè)務。
恩智浦介紹了i.MX品牌下的四個64位ARMv8和一個32位ARMv7嵌入式SoC，其中的三個現(xiàn)在正在使用三星的FD-SOI工藝生產(chǎn)。在接下來的兩年中，該系列產(chǎn)品將覆蓋25倍的性能范圍，比其基于平面工藝的i.MX芯片高五倍，每種設計都針對不同的性能和功率特性進行了優(yōu)化。
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