中微提告美商科林侵犯商業(yè)秘密案已在一審判決獲得勝訴。
中微
半導(dǎo)體設(shè)備表示，其提告美商科林研發(fā)股份公司（Lam Research Corporation）侵犯商業(yè)秘密案已在一審判決獲得勝訴。中微是在2010年12月向上海市第一中級(jí)人民法院提起訴訟，主張科林研發(fā)侵犯中微的商業(yè)秘密。
中微主張科林研發(fā)非法獲取中微機(jī)密的技術(shù)文件和機(jī)密的反應(yīng)腔內(nèi)部照片。中微還主張科林研發(fā)安排其技術(shù)專家在證據(jù)保全時(shí)不恰當(dāng)?shù)夭炜春蜏y(cè)量中微刻蝕機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，然后使用獲取的信息于2009年向臺(tái)灣智慧財(cái)產(chǎn)法院起訴中微專利侵權(quán)，試圖影響中微產(chǎn)品進(jìn)入臺(tái)灣市場(chǎng)，但最終科林研發(fā)敗訴。
在法院3月27日作出的判決中，法院命令科林研發(fā)銷毀其非法持有的照片，禁止科林研發(fā)和其員工披露、使用或允許他人使用中微的技術(shù)秘密，并要求科林研發(fā)賠償中微法律費(fèi)用90萬(wàn)元人民幣。
中微的主要業(yè)務(wù)是等離子體刻蝕設(shè)備和硅通孔刻蝕設(shè)備，現(xiàn)已應(yīng)用在45納米到1X納米及先進(jìn)加工工藝和封裝工藝中，截至目前已有超過(guò)600個(gè)中微刻蝕反應(yīng)臺(tái)在亞洲地區(qū)30多條生產(chǎn)線上運(yùn)行，另外，中微開發(fā)的用于LED和功率器件外延片大規(guī)模生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備也已經(jīng)在國(guó)內(nèi)多條生產(chǎn)線上正常運(yùn)行。
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