72層的3D NAND閃存芯片讓SK海力士領(lǐng)先三星和東芝的64層。
海力士（SK Hynix）稍早前推出72層，容量為256Gb的3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，一片封裝完成的閃存芯片的最高容量將達到512GB，可以開發(fā)出高容量的固態(tài)硬盤(SSD)，且成本更低。
這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。SK海力士還打算在Q4將把單晶片容量做到翻番。
在第四次工業(yè)革命中，3D NAND需求將在
人工智能、大數(shù)據(jù)和云存儲方面快速增長。據(jù)Gartner介紹，NAND Flash市場收入預(yù)計今年將達到465億美元，2021年后續(xù)增長達565億美元。
2016年4月海力士開發(fā)出36 層 128Gb 3D NAND 芯片，2016年11月開始生產(chǎn) 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。該公司表示，由于層數(shù)更多，利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，產(chǎn)能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開始量產(chǎn)。
另外，除了SSD，SK海力士稱，相關(guān)芯片也會用于智能手機。SK Hynix將在今年下半年大規(guī)模生產(chǎn)256Gb 3D NAND，并計劃將產(chǎn)品擴大到固態(tài)硬盤和智能手機等移動設(shè)備，以進一步提升其對DRAM的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。
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