近日,英特爾宣布以最新EMIB技術制造不同制程混合的芯片,旨在解決處理器性能與價格間的沖突所設計,英特爾表示,使用 EMIB 技術并不會造成整體芯片的性能下降,反而能夠提升各部分之間的傳輸效率,同時大大降低了延遲性,以此證明自己在處理器生產技術上依舊領先地位。
在競爭對手包括臺積電、三星、格羅方德等不但陸續(xù)宣布在 10 納米制程進行量產之外,還持續(xù)布局 7 納米制程,甚至更先進的 5 納米、3 納米制程。反觀半導體龍頭英特爾 (Intel) 對每一代處理器的性能提升被認為是 “擠牙膏”,甚至在第 8 代處理器的制程上仍沿用 14 納米制程,讓大家懷疑英特爾在制程技術上的進展。
英特爾表示,目前市場上處理器所有元件都采用統(tǒng)一制程,要不就全部都是 22 納米,要不就是全部都是 14 納米。甚至,未來還會進入 10 納米、7 納米制程的時代。但是,如此將造成研發(fā)成本因為制程的升級而大幅攀升,不利于產品價格的維持。
因此,英特爾最新提出的 EMIB 嵌入式多芯片互連概念,就是解決處理器性能與價格間的沖突所設計。簡單來說,EMIB 的概念就是允許將不同制程的元件拼湊在一起,來達成更高的性價比的目的。例如在處理器中,電路部分用不到那么先進制程,那就依舊采用 22 納米制程生產即可,而承擔核心任務的芯片部分,由于需要較高的效能與較低的耗電量,則使用 10 納米或者 14 納米制程來制造。
英特爾表示,使用 EMIB 技術并不會造成整體芯片的性能下降,反而能夠提升各部分之間的傳輸效率。其速度可以達到數(shù)百 Gigabytes,較傳統(tǒng)多芯片技術來說,延遲更是降低了四倍之譜。據(jù)了解,該項技術預計 2018 年將會開始生產,用以抵銷英特爾與競爭對手在制程上的落差。