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臺(tái)積電和聯(lián)發(fā)科欲用7nm試產(chǎn)12核處理器破“難產(chǎn)”?

高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋(píng)果A11等一系列芯片都采用了10納米工藝,并且均將在今年面世,但是,從芯片發(fā)布時(shí)間及終端布局來(lái)看,采用10納米工藝的芯片將面臨“難產(chǎn)”尷尬的局面。

  10nm是比較先進(jìn)的工藝納米技術(shù),高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋(píng)果A11等一系列芯片都采用了10納米工藝,并且均將在今年面世,但是,從芯片發(fā)布時(shí)間及終端布局來(lái)看,采用10納米工藝的芯片將面臨“難產(chǎn)”尷尬的局面。

  據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電10nm的良品率極低,產(chǎn)能也不給力,導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科高端處理器曦力(Helio) X30 面臨不理想的接單處境,而臺(tái)積電欲采用7nm技術(shù)為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)12核心處理器——Helio X40試圖轉(zhuǎn)移話題。

  盡管采用10納米工藝的高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋(píng)果A11等一系列芯片均將在今年面世,但相比于去年同系列芯片的發(fā)布節(jié)點(diǎn)以及相應(yīng)終端的發(fā)布節(jié)點(diǎn)來(lái)看,采用10納米工藝的芯片確實(shí)有些“難產(chǎn)”并且處境尷尬。一方面14納米工藝和16納米工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟,另一方面半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)激烈,臺(tái)積電也不得高觀遠(yuǎn)瞻提前部署7納米工藝。

  消息傳出,臺(tái)積電已準(zhǔn)備運(yùn)用 7 納米技術(shù),為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn) 12 核心處理器——Helio X40,全新的芯片將有望比現(xiàn)有10納米芯片(實(shí)際都還在PPT階段)更快且效能更高。

  聯(lián)發(fā)科目前最高端處理器曦力(Helio) X30 采 10 核心架構(gòu),是市場(chǎng)上首批采用目前最先進(jìn)的10納米工藝的芯片之一,在目前最先進(jìn)的工藝基礎(chǔ)上,搭配使用聯(lián)發(fā)科技的10核和三叢集架構(gòu)。10納米,10核與三叢集三者相輔相成,使得曦力X30相比上代產(chǎn)品性能提升35%,功耗降低50%。但是據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電10nm的良品率還不到三星的1/10,產(chǎn)能也沒(méi)上來(lái),聯(lián)發(fā)科執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同COO朱尚祖日前曾坦承接單狀況不理想,預(yù)期會(huì)采用新處理器的手機(jī)不到 10 支。

  

 

  聯(lián)發(fā)科的十核心旗艦級(jí)SoC,包括Helio X20、X23、X25、X27和X30五款,其中已經(jīng)上市的只有X20、X25和X27,這類(lèi)產(chǎn)品采用了三叢集架構(gòu),CPU部分主要是由2個(gè)負(fù)責(zé)性能的核心和4+4個(gè)負(fù)責(zé)功耗續(xù)航的小核心組成。

  市場(chǎng)此前預(yù)估,臺(tái)積電可望于3月陸續(xù)出貨采用該工藝的晶圓,不過(guò)朱尚祖坦言,X30芯片比原定出貨時(shí)間晚了一點(diǎn),預(yù)計(jì)5月會(huì)有搭載該芯片的智能手機(jī)問(wèn)世。朱尚祖表示,目前在所有產(chǎn)品線上,出貨都相當(dāng)順暢,包含去年下半年供貨吃緊的28納米工藝也是一樣,唯獨(dú)采用10納米工藝的X30芯片,今年上半年供貨會(huì)稍微緊縮,下半年就可放量供貨。

  10納米良率顯然影響到聯(lián)發(fā)科信心,并加速進(jìn)階至 7 納米的腳步。在此前臺(tái)積電舉行的供應(yīng)鏈管理論壇上,臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同CEO劉德音表示,臺(tái)積電目前7納米工藝正在量產(chǎn)認(rèn)證,本季度進(jìn)入試產(chǎn),預(yù)計(jì)2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),這意謂著聯(lián)發(fā)科 12 核心處理器可能在明上半年問(wèn)世。

  劉德音稱,不僅7納米會(huì)推出強(qiáng)化版,臺(tái)積電還將推出紫極外光 (EUV)工藝,而且5納米預(yù)定2019年上半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),比原定的2020年提前至少半年。至于3納米,現(xiàn)在已經(jīng)投入研發(fā)當(dāng)中,未來(lái)拉大與英特爾、三星的差距不是問(wèn)題。

  半導(dǎo)體業(yè)者指出,臺(tái)積電看似偏低的10納米工藝良率,其實(shí)已達(dá)到客戶所設(shè)定的初期標(biāo)準(zhǔn),否則聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果怎么可能堅(jiān)持下單,目前10納米工藝帶給新一代手機(jī)芯片的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),主要在芯片省電方面,但在晶粒本身面積微縮上,卻相對(duì)受到不少限制。

  無(wú)論臺(tái)積電、英特爾或三星,今年均在努力提高 10 納米工藝良率,高通10納米手機(jī)芯片驍龍835于三星投片,并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,不過(guò)正式出貨時(shí)間約在今年4月。不過(guò)一般認(rèn)為 10 納米只是過(guò)渡,7 納米才是主戰(zhàn)場(chǎng),包含AMD、Nvidia 等大廠此前均曾暗示將直升 7 納米。

  業(yè)界推估要到7納米工藝時(shí)代,手機(jī)芯片面積微縮才會(huì)更明顯,因此,聯(lián)發(fā)科采用10納米工藝量產(chǎn)的Helio X30芯片還沒(méi)現(xiàn)身,便與臺(tái)積電合作投入7納米工藝初期研發(fā)工作。

  不過(guò)日前卻有傳言稱聯(lián)發(fā)科手機(jī)部門(mén)第一季度虧損。據(jù)臺(tái)灣供應(yīng)鏈人士@手機(jī)芯片達(dá)人爆料,近10年沒(méi)有虧損的mtk手機(jī)芯片部門(mén),竟然在今年第一季出現(xiàn)虧損,10nm工藝高昂的費(fèi)用,導(dǎo)致mtk手機(jī)部門(mén)開(kāi)始出現(xiàn)虧損。

  三星、高通的家底還算是殷實(shí)的,哪怕10納米的良品率低,也能持續(xù)的砸錢(qián),而聯(lián)發(fā)科就慘了,去年憑借魅族全年力挺與搭載聯(lián)發(fā)科P10的OPPO R9大賣(mài),聯(lián)發(fā)科的總營(yíng)收為2755.12億元新臺(tái)幣(約合606億人民幣),同比增長(zhǎng)29.2%,創(chuàng)下了歷史新高,這會(huì)就為了10納米工藝把賺的全投了進(jìn)去。

  而今年中國(guó)地區(qū)出貨第一的OV并未開(kāi)聯(lián)發(fā)科的案子,小米基本是高通系+澎湃芯,樂(lè)視自顧不暇,大客戶就剩魅族。2017這一戰(zhàn),不成功便成仁啊……

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