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日本開設共同研究室 共同研發(fā)新一代半導體

報道稱,共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。

  近日,據(jù)日本媒體報道,日本名古屋大學和“物質與材料研究機構”共同宣布,將研發(fā)用于高效節(jié)能電子設備的新一代半導體,將分別在各自的機構開設由2014年獲諾貝爾物理學獎的該大學教授天野浩以及該機構理事小出康夫共同運營的研究室。

  報道稱,共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。

  據(jù)了解,“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合,加快研發(fā)進程。

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