近日，華潤(rùn)微電子有限公司（“華潤(rùn)微”）旗下的無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司（“華潤(rùn)上華”）宣布，公司在0.153μm HD BCD工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Logic eFlash嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)與BCD技術(shù)的結(jié)合，這在國(guó)內(nèi)尚屬首創(chuàng)。

　　該工藝平臺(tái)的eFlash采用了成都銳成芯微科技股份有限公司（“銳成芯微”）的LogicFlash Pro專利技術(shù)。

　　據(jù)介紹，華潤(rùn)上華的0.153μm HD(High Density)BCD工藝平臺(tái)采用基于數(shù)?；旌瞎に嚨腂CD架構(gòu)工藝，電壓范圍有1.8V-5V/7V-40V等多種檔位，提供1.8V+多種eNVM數(shù)字解決方案，主要覆蓋智能SOC電源、微處理器、智慧家居和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　銳成芯微的LogicFlash Pro技術(shù)包括創(chuàng)新的存儲(chǔ)單元架構(gòu)、工藝實(shí)現(xiàn)方法和IP核。得益于該技術(shù)獨(dú)特的實(shí)現(xiàn)方式，大大簡(jiǎn)化了業(yè)界流行的eFlash技術(shù)的光罩層數(shù)和工藝步驟，不僅維持了原有高壓器件的高性能，也增加了具有高可靠性的eFlash，能幫助芯片企業(yè)將模擬芯片和控制芯片合二為一，有效控制整體的系統(tǒng)成本。

　　基于華潤(rùn)上華的BCD工藝，該eFlash IP具有集成簡(jiǎn)便、可靠性高、兼容性廣等特點(diǎn)，也讓其可適用于家用電器、工業(yè)電子及汽車電子等多種高溫環(huán)境和高可靠性場(chǎng)景下的應(yīng)用，并且已展現(xiàn)優(yōu)異的測(cè)試性能和結(jié)果，包括125℃高溫操作壽命大于1000小時(shí)，125℃的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力超過(guò)10年，擦除寫入次數(shù)大于10萬(wàn)次，該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。