相關媒體報道，我國自研PCIe(NVMe)固態(tài)硬盤主控芯片性能指標已獲得實質性技術突破，從實測性能看已經超過國外同類PCIe主控性能指標，主控性能爆棚。據了解2019年1月美國CES展會期間，該國產PCIe固態(tài)硬盤主控芯片將隨國際知名SSD品牌廠商同臺展出，并正式對外發(fā)布。

　　在性能方面，PCIe(NVMe)固態(tài)硬盤主控芯片為1TB版本，連續(xù)讀取性能3375MB/s，連續(xù)寫入高達2675MB/s，隨機讀寫性能最高可到達687KIOPS、431KIOPS，而且還在不斷的優(yōu)化中，最終性能會更好。

　　此外。該國產主控合作伙伴評測原型板 主控的容量適配，也是一個市場的關注點，同樣也是技術上的重點，我愛存儲網得知該國產PCIe固態(tài)硬盤主控芯片目前已經完成256G、512G、1TB、2TB四種容量固件開發(fā)，4TB版本固件也將會推出。

　　業(yè)界人士認為，目前國產SATA主控芯片已經有多家大規(guī)模量產。但在PCIE（NVME）上目前還有缺口。一旦該國產PCIE（NVME）主控芯片大規(guī)模量產，將會驅動國內相關產業(yè)鏈一起升級，形成”技術——產品——營銷”的新體系，業(yè)界期待這顆中國芯能早日量產， 進入產業(yè)鏈，為市場和消費者帶來更豐富的高性能選擇！