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IDT新3200 MT/s芯片組兼容NVDIMM

美光(Micron)已經(jīng)在檢驗IDT DDR4 3200寄存器和數(shù)據(jù)緩沖器工程樣品。該芯片組使高成本效益的LRDIMM 3200解決方案成為可能,還有望把我們設計的NVDIMM提高到更高速度。

  IDT公司(Integrated Device Technology)日前發(fā)布4RCD0232K寄存器和4DB0232K數(shù)據(jù)緩沖器樣品。該芯片組集成了近日被納入JEDEC最新標準(定義3200 MT/s性能器件)的新特性,包括決策反饋等化(DFE)、NVDIMM專用通信端口和細?;敵鲂盘柣亟锌刂频?。除了新特性和性能引擎,該芯片組還實現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)最低的DDR4芯片組功耗。

  據(jù)表示,美光(Micron)已經(jīng)在檢驗IDT DDR4 3200寄存器和數(shù)據(jù)緩沖器工程樣品。該芯片組使高成本效益的LRDIMM 3200解決方案成為可能,還有望把我們設計的NVDIMM提高到更高速度。

  隨著多插槽內(nèi)存子系統(tǒng)速度越來越快,回叫和串擾影響了信號電壓幅值的質量,使之難以識別信號的邏輯電平。DFE是一項從噪聲中恢復原始信號的技術,能大大提高信號電平強度。雖然DFE剛剛被納入JEDEC標準,但IDT在前兩代器件中就已把它作為專有性能增強技術。幾年來,IDT與主要生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和控制器廠商合作促進必要的系統(tǒng)培訓軟件和固件開發(fā),以充分實現(xiàn)DFE帶來的好處,IDT同時是推動將該技術納入最新標準修訂版的主要支持者。

  IDT還加入了一系列旨在提高NVDIMM密度和性能的特性。芯片組和NVDIMM控制器之間的新通信接口,以及用于在災難性停電時進行快速可靠恢復的自動狀態(tài)機,都支持服務器和存儲的新一代容錯和性能加速。除了密度和性能,通過集成前幾代NVDIMM使用的大量外部組件,芯片組還節(jié)省了成本。該芯片組可無縫配合IDT最新發(fā)布的P8800 NVDIMM電源管理芯片,提供一個具有可編程支持通電次序、電壓故障轉移和后備電源保護功能的完整解決方案。

  IDT副總裁兼內(nèi)存接口部總經(jīng)理Rami Sethi表示:該芯片組是過去幾年我們?yōu)閷RAM和存儲級內(nèi)存解決方案帶寬和密度提高到新水平所付出的努力的結晶。為了提升多插槽內(nèi)存拓撲的速度,IDT與我們的客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作,將高速串行接收器的常用技術引入了內(nèi)存子系統(tǒng)。

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